Число каналов (тип усилителя): 2
Номинальная мощность, 4 Ом: 75 Вт х 2
Номинальная мощность, 2 Ом: 120 Вт х 2
Номинальная мощность в мостовом включении, 4 Ом 225 Вт х 1
Габариты: 200 х 256 х 51 мм
MOSFET-технология
Диапазон регулировки уровня низких частот от 0 до +12 дБ на 45 Гц
ФНЧ/ФВЧ 50-250 Гц / 18 дБ/окт